Lo sviluppo della tecnologia di bonding ibrido HBM di SK Hynix incontra ostacoli, Samsung potrebbe temporaneamente guidare la competizione per le memorie a larghezza di banda elevata di prossima generazione

📅 2026-10-08

Riassunto:

Secondo esperti del settore coreano, SK Hynix, leader mondiale del mercato delle memorie a larghezza di banda elevata (HBM), sta incontrando sfide nella ricerca e nello sviluppo della tecnologia di bonding ibrido e i suoi progressi potrebbero essere rimasti indietro rispetto al principale concorrente Samsung Electronics. Secondo le fonti, SK Hynix non ha ancora iniziato la produzione di campioni HBM basati sulla tecnologia di incollaggio ibrido, mentre Samsung avrebbe inviato ai clienti campioni HBM fabbricati utilizzando questa tecnologia.

Se le notizie in questione fossero vere, si tratterebbe di un grosso passo indietro per SK Hynix, che ha a lungo dominato il mercato HBM. Negli ultimi anni, con la rapida crescita della domanda di formazione e inferenza sull’intelligenza artificiale, la memoria a larghezza di banda elevata è diventata una parte importante degli acceleratori di intelligenza artificiale e delle piattaforme di elaborazione ad alte prestazioni, e la concorrenza tra i fornitori attorno alla tecnologia HBM di prossima generazione è diventata sempre più agguerrita.

L'incollaggio ibrido è considerato dal settore una delle tecnologie di confezionamento chiave per il futuro sviluppo della HBM. A differenza dei tradizionali metodi di stacking, questa tecnologia realizza una connessione permanente combinando direttamente le strutture di interconnessione metalliche sui due chip. È possibile impilare più chip o addirittura interi wafer in tre dimensioni. Eliminando la tradizionale struttura micro-bump, è possibile ottenere percorsi di trasmissione del segnale più brevi tra i chip, riducendo così la latenza, riducendo la distorsione del segnale e migliorando le prestazioni complessive e l'efficienza energetica.

Per i prodotti HBM che continuano ad aumentare la capacità e la larghezza di banda, il collegamento ibrido presenta anche i vantaggi di aumentare la densità di interconnessione, migliorare le capacità di dissipazione del calore e ridurre lo spessore dell'imballaggio. Pertanto, è considerato un percorso tecnico importante per supportare i futuri prodotti HBM impilati a 16 strati o anche più alti.

Tuttavia, nonostante la tecnologia promettente, anche l'incollaggio ibrido è estremamente difficile da produrre. Nel settore si ritiene generalmente che questo processo abbia requisiti estremamente severi in termini di planarità dei wafer, pulizia della superficie e precisione di allineamento, quindi la resa della produzione di massa e il controllo dei costi sono sempre stati sfide importanti.

Attualmente SK Hynix occupa ancora la posizione leader nel mercato HBM. I dati mostrano che tra le spedizioni di prodotti tradizionali come HBM3E e HBM4, SK Hynix rappresenta circa il 50% della quota di mercato globale, mentre Samsung rappresenta circa il 33%. Tuttavia, rispetto alla quota di mercato precedente pari a circa il 64%, SK Hynix è leggermente diminuita, mentre Samsung continua ad espandere la sua influenza.

Gli analisti ritengono che il cambiamento futuro della struttura del mercato dipenderà ancora in gran parte dalla domanda dei clienti. Se i principali produttori di chip AI cominciassero a prestare maggiore attenzione ai prodotti HBM con maggiore capacità, tecnologia di confezionamento più avanzata e prestazioni più elevate, allora le aziende che per prime padroneggeranno la tecnologia di incollaggio ibrido ed entreranno nella fase di produzione di massa potrebbero ottenere ulteriori vantaggi competitivi.

Nel frattempo, il settore rimane diviso sui tempi effettivi di realizzazione del bonding ibrido. All'inizio di quest'anno è stato riferito che sia Samsung che SK Hynix stanno rivalutando il calendario di commercializzazione di questa tecnologia. Alcune previsioni del settore ritengono che le applicazioni su larga scala potrebbero non apparire nel primo lotto di prodotti HBM4, ma hanno maggiori probabilità di diventare veramente popolari nella successiva era HBM4E o addirittura HBM5.

Tuttavia, poiché l'informatica basata sull'intelligenza artificiale continua a stimolare la domanda del mercato per una maggiore larghezza di banda e una memoria con una maggiore densità di stacking, il bonding ibrido è ancora ampiamente considerato come una delle tecnologie chiave per lo sviluppo a lungo termine della HBM. Per SK Hynix e Samsung, che competono ferocemente per il mercato delle infrastrutture AI di prossima generazione, questa competizione sui processi di confezionamento avanzati determinerà probabilmente lo status di entrambe le parti nel mercato dello storage di fascia alta nei prossimi anni.

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