Riassunto:
Il produttore cinese di chip di memoria Changxin Memory (CXMT) sta accelerando il layout della tecnologia DRAM di prossima generazione e prevede di lanciare prodotti di memoria per server DDR5 RDIMM utilizzando l'architettura delle celle di memoria 4F² entro la fine di quest'anno. Fonti del settore affermano che se i piani pertinenti verranno implementati con successo, i progressi nella commercializzazione di Changxin Storage su questo percorso tecnologico chiave potrebbero essere circa due anni avanti rispetto a Samsung Electronics, che ha attirato grande attenzione nel settore dello storage globale.
Il rapporto afferma che l'architettura delle celle di memoria 4F² è considerata un importante nodo tecnologico nel processo di restringimento della DRAM. Le tradizionali celle di memoria DRAM occupano solitamente un'area di silicio più ampia, mentre il design 4F² ospita più celle di memoria sulla stessa area del wafer comprimendo ulteriormente le dimensioni della cella, aumentando così la capacità del chip e riducendo i costi di storage unitario. Poiché il processo di produzione continua ad avvicinarsi ai limiti fisici, come continuare a migliorare la densità di storage è diventata una sfida fondamentale per i produttori di DRAM.
Per molto tempo, i principali produttori di memorie globali, tra cui Samsung, SK Hynix e Micron, stanno studiando la prossima generazione di architettura DRAM ad alta densità. Tuttavia, la commercializzazione su larga scala è progredita in modo relativamente lento a causa delle difficoltà estremamente elevate nella complessità della progettazione, nei processi di produzione e nel controllo della resa.
Le ultime notizie mostrano che Changxin Storage sta pianificando di assumere un ruolo guida nell'introduzione dell'architettura 4F² nei prodotti RDIMM DDR5. RDIMM è un modulo di memoria doppio in linea registrato. Si rivolge principalmente ai mercati dei server e dei data center ed è ampiamente utilizzato nella formazione sull'intelligenza artificiale, nel calcolo ad alte prestazioni e nelle infrastrutture di cloud computing.
L'industria ritiene che se Changxin Memory riuscirà a completare il rilascio dei prodotti come previsto e a raggiungere una produzione di massa stabile, ciò significherà non solo continuare ad espandere la propria capacità produttiva, ma anche compiere passi avanti nel campo dell'innovazione dell'architettura core DRAM. Per il mercato dei server, una maggiore densità di storage significa la capacità di implementare memoria di maggiore capacità nelle stesse condizioni di spazio e consumo energetico, il che è particolarmente interessante per i data center AI.
Il rapporto sottolinea che si prevede che l'attuale programma di produzione di massa di Samsung su percorsi tecnologici simili richiederà diversi anni. Se questo giudizio è accurato, Changxin Storage potrebbe guadagnare circa due anni di vantaggio nella commercializzazione di prodotti legati all'architettura 4F². Tuttavia, poiché i progetti rilevanti sono ancora in fase di avanzamento, i progressi finali della produzione di massa, le prestazioni del prodotto e i livelli di resa effettivi devono ancora essere ulteriormente verificati.
Negli ultimi anni, con il rapido sviluppo dell'intelligenza artificiale generativa e dei modelli linguistici su larga scala, la domanda di memoria ad alta capacità e con larghezza di banda elevata nei data center globali continua ad aumentare. Oltre alla memoria HBM ad elevata larghezza di banda che attira molta attenzione, anche il tradizionale mercato delle memorie per server DDR5 sta inaugurando una nuova tornata di cicli di aggiornamento. Per i produttori di storage, chiunque riuscirà a prendere l’iniziativa di sfondare nella tecnologia DRAM ad alta densità avrà l’opportunità di occupare una posizione favorevole nella fase successiva della competizione di mercato.
Gli analisti ritengono che la promozione da parte di Changxin Memory dei prodotti RDIMM DDR5 con architettura 4F² non sia solo correlata al rilascio di un singolo prodotto, ma sia anche considerata un segnale importante per il settore dello storage cinese affinché si muova verso nodi tecnologici DRAM più avanzati. Se il progetto verrà implementato con successo, si prevede che migliorerà la sua competitività nel mercato globale delle memorie per server e ridurrà ulteriormente il divario tecnologico con i principali produttori internazionali.
Commenti