Riassunto:
Si prevede che la società cinese di chip di memoria Changxin Memory (CXMT) lancerà ufficialmente la produzione di massa della memoria a larghezza di banda elevata HBM3E entro la fine del 2026, segnando la prima volta che un produttore cinese locale entra nel mercato avanzato HBM. Questo progresso è considerato una pietra miliare importante affinché la catena industriale cinese dell’intelligenza artificiale possa migliorare le proprie capacità di approvvigionamento indipendente.
Secondo le ultime notizie del settore, Changxin Storage prevede di avviare la produzione di massa di HBM3E entro i prossimi due mesi. Nell'agosto di quest'anno, la società ha avviato la produzione di prova di rischio dell'HBM3E e ha fornito campioni ad alcuni clienti. Oggi i prodotti correlati stanno gradualmente avanzando verso la fase di commercializzazione.
HBM è una delle tecnologie di storage più critiche per gli attuali acceleratori di intelligenza artificiale, GPU per data center e sistemi informatici ad alte prestazioni. Grazie alla sua capacità di fornire una larghezza di banda molto più elevata rispetto alla DRAM tradizionale, la HBM è diventata un componente fondamentale indispensabile per l'addestramento e l'esecuzione di modelli di intelligenza artificiale su larga scala. Attualmente il mercato globale della HBM è controllato principalmente da SK Hynix, Samsung Electronics e Micron.
Secondo gli standard JEDEC, HBM3E adotta un design del bus a 1024 bit e la velocità di trasmissione a pin singolo può raggiungere da 9,2 Gbps a 12,4 Gbps. La configurazione tradizionale è solitamente 9,6 Gbps. La sua larghezza di banda totale è di circa 1,2 TB/s e può fornire configurazioni di capacità da 24 GB a 36 GB, comprese due soluzioni tradizionali: stacking a 8 strati e stacking a 12 strati.
Tuttavia, la produzione di massa non è facile per Changxin Storage. Le notizie del settore mostrano che HBM3E sta ancora affrontando sfide in termini di rendimento. Poiché la HBM utilizza matrici DRAM multistrato da impilare verticalmente attraverso la tecnologia TSV a silicio passante, che richiede processi di produzione e confezionamento estremamente elevati, il tasso di rendimento è diventato un fattore importante che limita l'espansione della capacità produttiva.
Le fonti hanno rivelato che l'attuale tasso di rendimento complessivo di Changxin Storage HBM3E è compreso tra il 20% e il 30%, un valore significativamente inferiore al livello dei principali produttori internazionali. Tra questi, il tasso di rendimento nella fase di produzione dei wafer front-end è di circa il 30%. Dopo aver inserito il pacchetto back-end, il tasso di successo può essere ulteriormente migliorato di circa il 70%. Tuttavia, alla fine, il tasso di rendimento complessivo ha ancora ampio margine di miglioramento.
Gli analisti del settore ritengono che la sfida tecnica più grande per Changxin Storage derivi attualmente dalla maturità della tecnologia TSV. Rispetto ai produttori internazionali esiste ancora un certo divario nel processo di impilamento. Ad esempio, Samsung utilizza circa 5.000 connessioni TSV su un singolo livello nell’era HBM2, mentre SK Hynix ha superato le 8.000 sui prodotti HBM3. Changxin Memory sta cercando di utilizzare circa 3.000 TSV per implementare il progetto HBM3E, che impone requisiti più elevati in termini di precisione e affidabilità della produzione.
Limitato da fattori tecnici rilevanti, si prevede che Changxin Storage si concentrerà sui prodotti HBM3E impilati a 8 strati nel breve termine e per il momento non passerà rapidamente ai prodotti impilati a 12 strati con una capacità maggiore.
Allo stesso tempo, diverse agenzie di stampa hanno rivelato che Changxin Memory ha fornito due versioni di campioni HBM3E alle aziende nazionali di chip AI, inclusa una versione standard e una nuova versione ottimizzata per la resa. I campioni rilevanti sono attualmente in fase di test e verifica da parte del cliente.
In termini di prestazioni, i test preliminari mostrano che le prestazioni complessive degli attuali prodotti HBM3E di Changxin Storage sono più vicine alla generazione precedente di HBM3 di SK Hynix, ma c'è ancora un divario rispetto ai prodotti HBM3E avanzati a livello internazionale. Tuttavia, addetti ai lavori del settore hanno sottolineato che per i produttori che sono appena entrati nel percorso della HBM, il raggiungimento della produzione di massa rappresenta di per sé un importante passo avanti.
Gli analisti ritengono che, anche se l'attuale tasso di rendimento non è elevato, Changxin Storage ha ancora la motivazione per continuare a promuovere la produzione di massa. Mentre la domanda cinese di memorie a larghezza di banda elevata da parte dei produttori cinesi di chip AI cresce rapidamente, l'importanza delle fonti di approvvigionamento HBM locali continua ad aumentare. Di fronte alla scarsità dell’offerta di storage avanzato di IA e alla pressione portata dalle restrizioni alle importazioni, esiste un’ovvia domanda di prodotti HBM nel mercato interno.
Recentemente il mercato ha registrato un aumento dei prezzi dei chip IA e l'offerta di memoria a larghezza di banda elevata è generalmente considerata uno dei motivi importanti. Le aziende produttrici di chip, tra cui Alibaba Pingtouge e Cambrian, sono state precedentemente esposte a testare soluzioni HBM nazionali nella speranza di ridurre la loro dipendenza dalle catene di fornitura estere.
L'industria prevede che, se la verifica del cliente procede senza intoppi, i prodotti nazionali di accelerazione dell'intelligenza artificiale che utilizzano Changxin Storage HBM3E dovrebbero entrare nel mercato già nel 2027. Sebbene esista ancora un divario tecnologico di una o due generazioni rispetto ai principali produttori mondiali, l'ingresso di Changxin Storage nel campo HBM significa che l'ecosistema hardware di intelligenza artificiale locale cinese sta completando i pezzi chiave del puzzle e sta iniziando a sfidare il mercato dello storage AI di fascia alta.
Commenti