Riassunto:
L'industria cinese dei chip di memoria sta inaugurando una nuova fase di concorrenza. Changxin Memory (CXMT) e Yangtze Memory Technology (YMTC), due aziende leader che sono state profondamente coinvolte in mercati diversi per molto tempo, stanno accelerando il loro ingresso nelle reciproche aree di business principali. Si sta gradualmente sviluppando una concorrenza frontale attorno ai due principali mercati DRAM e NAND.
Negli ultimi anni, le due società hanno mantenuto una divisione relativamente chiara del lavoro sul mercato. Changxin Memory si concentra principalmente sui chip di memoria DRAM, mentre Yangtze Memory si concentra sui prodotti di memoria flash NAND. Mentre l’ondata di intelligenza artificiale rimodella la catena di fornitura globale dei semiconduttori, questo confine aziendale viene infranto.
Secondo fonti della catena industriale, Yangtze Memory si sta preparando a entrare nel mercato delle DRAM. Si prevede che la nuova linea di produzione dell'azienda nella terza fase del progetto inizierà la produzione di prova alla fine del 2026, concentrandosi inizialmente sui prodotti di memoria a basso consumo LPDDR5. Essendo una fase importante prima della produzione di massa formale, la produzione di prova viene utilizzata principalmente per il debug delle apparecchiature, l'ottimizzazione dei processi e il miglioramento della resa.
Secondo il piano attuale, la capacità di produzione iniziale di DRAM di Yangtze Memory dovrebbe essere di circa 25.000 wafer al mese. Sebbene questa scala sia ancora molto indietro rispetto a giganti internazionali come Samsung, SK Hynix o Micron, si tratta di un importante cambiamento strategico per Yangtze Memory, che da tempo si concentra sul business NAND.
Allo stesso tempo, Changxin Memory è anche alla ricerca di opportunità per espandersi nel campo NAND.
Le fonti hanno affermato che Changxin Memory sta pianificando un nuovo progetto di ricerca e sviluppo e produzione di prova NAND a Pechino e sta creando istituti di ricerca pertinenti per promuovere lo sviluppo della tecnologia NAND. Alcuni potenziali clienti hanno già iniziato a contattare Changxin, comprese le start-up che desiderano utilizzare i suoi prodotti di memoria flash per sistemi di intelligenza artificiale e soluzioni di archiviazione di supercomputer.
Negli ultimi anni, la domanda di server di intelligenza artificiale è aumentata, il che non solo ha promosso la continua prosperità dei mercati HBM e DRAM, ma ha anche guidato la crescita della domanda di memorie flash NAND. Poiché un gran numero di attività di addestramento e inferenza di modelli di intelligenza artificiale generano enormi quantità di dati, la domanda di SSD e dispositivi di archiviazione ad alta capacità nei data center continua ad aumentare, rompendo l'equilibrio tra domanda e offerta del mercato dello storage tradizionale.
I dati del settore mostrano che, per soddisfare le esigenze del mercato dell'intelligenza artificiale, i principali produttori di storage del mondo hanno spostato una maggiore capacità produttiva verso prodotti DRAM e HBM ad alto profitto, con conseguente rallentamento della crescita dell'offerta NAND e, di conseguenza, un aumento dei prezzi di mercato. In questo contesto, per Changxin l’ingresso nel mercato NAND sembra più interessante.
Tuttavia, rispetto a Yangtze Memory, che ha un calendario più chiaro per entrare nel mercato delle DRAM, il piano NAND di Changxin è ancora in una fase precedente. Non è chiaro quando entrerà nella produzione di massa. L'industria prevede che le relative linee di produzione potrebbero essere ufficialmente messe in funzione già tra il 2028 e il 2029.
Per entrambe le società, oltre alle questioni tecniche, anche i diritti di proprietà intellettuale potrebbero diventare un importante focus della concorrenza futura.
Gli addetti ai lavori del settore hanno sottolineato che, poiché entrambe le parti entrano nelle reciproche aree di forza tradizionali, la disposizione dei brevetti, le licenze tecnologiche e la competizione per i talenti ingegneristici potrebbero diventare nuovi punti di attrito. Soprattutto nel contesto del rapido sviluppo dell'industria cinese dello storage, entrambe le società devono attrarre un gran numero di personale di ricerca e sviluppo e di produzione con esperienza rilevante.
Secondo i rapporti, Changxin sta attualmente reclutando attivamente talenti tecnici e ingegneristici che hanno lavorato presso Yangtze Memory per accelerare il processo di ricerca e sviluppo NAND. Mentre Yangtze Memory porta avanti il suo progetto DRAM, la concorrenza tra le due parti nel mercato delle risorse umane potrebbe intensificarsi ulteriormente in futuro.
Inoltre, i controlli sulle esportazioni statunitensi continueranno a influenzare il futuro percorso di sviluppo delle aziende cinesi. Per Changxin, il campo NAND dipende in particolare dalla tecnologia avanzata di stacking NAND 3D ed è ancora difficile ottenere attrezzature e tecnologie correlate. Pertanto, come completare le scoperte tecnologiche in condizioni limitate diventerà un fattore importante per stabilire se il suo piano di espansione potrà essere implementato.
Gli analisti ritengono che Changxin e Yangtze Memory rappresentassero rispettivamente i due principali settori DRAM e NAND della Cina, ma ora entrambe le parti hanno iniziato a estendere la propria attività a tutte le categorie di storage, il che significa che l'industria cinese dello storage sta entrando in una nuova fase di integrazione e concorrenza.
Nel contesto della continua crescita della domanda globale di potenza di calcolo basata sull'intelligenza artificiale, sia DRAM che NAND sono diventate risorse strategiche fondamentali. Mentre i due giganti cinesi dello storage si muovono gradualmente verso una concorrenza frontale, sta iniziando silenziosamente una battaglia per i chip di memoria in termini di tecnologia, capacità produttiva, talento e quota di mercato.
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