Riassunto:
Il produttore cinese di chip di memoria DRAM Changxin Memory (CXMT) ha annunciato che la sua piattaforma tecnologica DRAM di quinta generazione è ufficialmente entrata nella fase di produzione di massa. Questo progresso è considerato un'importante pietra miliare nello sviluppo del settore dello storage cinese e significa anche che Changxin Storage sta ulteriormente riducendo il divario tecnologico con produttori leader a livello mondiale come Samsung Electronics, SK Hynix e Micron.
La DRAM è la memoria di lavoro principale richiesta dai dispositivi elettronici come smartphone, personal computer e server per eseguire applicazioni. Negli ultimi anni, mentre l’intelligenza artificiale, il calcolo ad alte prestazioni e le prestazioni dei terminali mobili continuano a migliorare, la domanda del mercato globale per prodotti DRAM avanzati continua a crescere.
Secondo le informazioni rilasciate da Changxin Memory, l'obiettivo della piattaforma tecnologica di quinta generazione è creare prodotti di memoria con prestazioni più elevate e capacità più elevata riducendo al contempo il consumo energetico e i costi di produzione. La società ha dichiarato che la nuova piattaforma fornirà ai produttori di prodotti elettronici terminali più fonti di approvvigionamento di chip di memoria e migliorerà la flessibilità di fornitura della catena industriale.
In quanto maggiore produttore cinese di DRAM, Changxin Memory questa volta si concentra sull'aumento della densità delle celle di memoria. Riducendo ulteriormente le minuscole strutture responsabili dell'archiviazione dei dati e aumentando il livello di integrazione, la nuova piattaforma può ospitare più celle di memoria nella stessa area e aumentare il numero di chip che possono essere tagliati da un singolo wafer, migliorando così l'efficienza complessiva dell'output.
Changxin Storage ha rivelato che la nuova piattaforma ha ridotto il passo strutturale chiave dell'array di archiviazione a 11,95 nanometri, che equivalgono a circa 12 miliardesimi di metro. Per raggiungere questo obiettivo, l’azienda utilizza un processo di modellazione quadrupla, che supera le limitazioni del processo tradizionale eseguendo ripetutamente più fasi di produzione per formare strutture circuitali più raffinate.
Durante la World Manufacturing Conference del 2026 tenutasi a Hefei, Anhui, Luo Xiaodong, capo del Changxin Storage Market Center, ha affermato che le capacità di processo dell'azienda hanno raggiunto lo stesso livello delle piattaforme di storage prodotte in serie più avanzate al mondo.
Con la produzione in serie della nuova piattaforma, Changxin Memory ha rilasciato anche due chip di memoria mobile LPDDR5X da 24 Gb basati sulla piattaforma di quinta generazione. LPDDR5X è uno standard DRAM a basso consumo utilizzato principalmente in dispositivi mobili come smartphone e tablet.
La capacità del nuovo prodotto è superiore del 50% rispetto a quella della precedente generazione di prodotti simili ed è entrato nella fase di produzione di massa. A seconda delle diverse esigenze del prodotto finale, i due prodotti forniscono diverse forme di packaging per essere adatti alla progettazione di smartphone e vari dispositivi elettronici portatili.
Oltre ad aumentare la capacità di un singolo chip, la nuova piattaforma migliora anche significativamente l'efficienza produttiva. Changxin Memory ha affermato che, utilizzando i prodotti da 8 Gb come punto di riferimento, il numero di chip che la piattaforma di quinta generazione può produrre per wafer è almeno del 50% superiore a quello della piattaforma di quarta generazione.
Questo indicatore non rappresenta la resa finale, ma si riferisce al numero totale di chip che teoricamente possono essere tagliati da un singolo wafer prima che i chip difettosi vengano eliminati. Tuttavia, per l’industria delle memorie, migliorare l’utilizzo dei wafer è ancora un modo importante per ridurre i costi e aumentare la competitività.
L'azienda ha inoltre rivelato che la tecnologia di simulazione computerizzata è stata ampiamente utilizzata nel processo di sviluppo della piattaforma di quinta generazione e che lo sviluppo congiunto è stato effettuato con produttori locali cinesi di apparecchiature per semiconduttori nei principali collegamenti di produzione. Una cooperazione rilevante ha aiutato Changxin Storage a stabilire gradualmente un sistema di catena di fornitura nazionale più completo e a ridurre la sua dipendenza dalla tecnologia esterna.
Questo sviluppo tecnologico arriva anche in un momento in cui la concorrenza nel settore dello storage globale continua a intensificarsi. Con la rapida espansione del settore dell’intelligenza artificiale, la domanda di memoria ad alte prestazioni è esplosa e i principali produttori di storage a livello mondiale hanno aumentato gli investimenti in prodotti DRAM e HBM avanzati.
Per la Cina, l'ingresso nella produzione di massa della piattaforma di quinta generazione di Changxin Storage non significa solo un ulteriore miglioramento delle capacità tecniche, ma significa anche che il settore dello storage locale continua a muoversi verso nodi di processo più avanzati. In futuro, man mano che i prodotti di storage mobile di nuova generazione entreranno gradualmente nel mercato, si prevede che la concorrenza tra Changxin Storage e i principali produttori internazionali si intensificherà ulteriormente.
Nel contesto del panorama in continua evoluzione del settore dello storage globale, la produzione di massa ufficiale della piattaforma DRAM di quinta generazione è considerata un altro nodo importante nello sviluppo di Changxin Memory. Aggiunge inoltre una nuova leva all’industria cinese dei semiconduttori per migliorare le sue capacità di approvvigionamento indipendente.
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