Riassunto:
Martedì la CNBC ha pubblicato un articolo incentrato sulle scoperte tecnologiche realizzate da Changxin Storage. L'articolo affermava che Changxin Storage potrebbe non essere così noto, ma le sue scoperte tecnologiche hanno fatto crollare collettivamente le azioni dei giganti globali dello stoccaggio.
Archiviazione Changxin
La CNBC ha affermato che Changxin Memory è il principale concorrente dei produttori globali di chip di memoria. Gli attuali giganti del settore includono Micron, SK Hynix e Samsung. Ma lo scorso fine settimana, Changxin Storage ha annunciato di aver compiuto progressi nella ricerca e nello sviluppo della sua nuova architettura. Questa architettura consente di archiviare più dati in meno spazio, aumentando così la densità di archiviazione.
Martedì le azioni Micron sono scese del 3,62%. Le azioni di SK Hynix, quotata in Corea del Sud, hanno chiuso in ribasso del 10%, mentre quelle di Samsung Electronics sono scese del 7,4%. Sono crollati anche altri titoli legati ai chip di memoria, tra cui SanDisk, Seagate e Western Digital.
Nuova svolta tecnologica
La CNBC ha affermato che prima della sua IPO di successo quest'estate, Changxin Storage era poco conosciuta al di fuori del mercato cinese. Ma dopo essere stato lanciato nel luglio di quest’anno, ha rapidamente attirato l’attenzione globale. Il prezzo delle azioni della società è salito di quasi il 466% il primo giorno di quotazione presso lo Shanghai Science and Technology Innovation Board, diventando all’epoca la società con il valore di mercato più alto tra le società quotate cinesi.
La CNBC ha sottolineato che dopo la quotazione in borsa di Changxin Memory, una delle questioni più preoccupanti sul mercato era se l'azienda potesse ridurre il divario tecnologico con Micron, Samsung e SK Hynix, in particolare nel campo della memoria a larghezza di banda elevata (HBM), che è un componente chiave dei sistemi di chip AI.
Le azioni Micron hanno chiuso in ribasso del 3,62%
Tuttavia, secondo quanto riportato dai media nazionali, Cao Kanyu, presidente di Changxin Memory, ha rivelato un nuovo progresso nella tecnologia DRAM alla quarta conferenza su chip e chip integrati del 10 ottobre. Cao Kanyu ha introdotto l'architettura DRAM denominata 4F² e ha affermato che Changxin Memory dovrebbe lanciare una nuova generazione di prodotti DDR5 RDIMM utilizzando questa tecnologia entro la fine dell'anno.
Cao Kanyu ha affermato che questa architettura ha apportato innovazioni ai transistor degli array di archiviazione DRAM. I transistor VSG (Vertical Surrounded Gate) adottano una struttura di canali circostanti verticali per ottenere un controllo del gate più forte e risolvere i punti critici legati alle perdite e agli effetti dei canali corti. I transistor verticali aiutano a ridurre l'area e ad aumentare la densità di archiviazione.
La CNBC ha affermato che il nuovo design dell'architettura si basa sulla tecnologia "4F²" e può raggiungere una maggiore densità di archiviazione. SK hynix sta inoltre sviluppando la progettazione 4F² e ha annunciato una tabella di marcia per lo sviluppo di questa tecnologia nel 2025.
Gli analisti generalmente ritengono che Changxin Storage sia in ritardo rispetto ai concorrenti globali nella ricerca e nello sviluppo di tecnologie di storage all'avanguardia. Pertanto, qualsiasi notizia sulle sue scoperte tecnologiche potrebbe influenzare in modo significativo la percezione degli investitori dei vantaggi di mercato dei suoi concorrenti globali.
Crescita della quota di mercato
Nonostante le sfide legate ai controlli sulle esportazioni, Changxin Storage ha compiuto progressi significativi nel mercato.
Un rapporto pubblicato da HSBC giovedì scorso ha mostrato che la quota di Changxin Memory nel mercato globale delle DRAM è salita a circa il 10%, rispetto al 4% circa di un anno fa.
Gli analisti di Citigroup hanno affermato in un rapporto di agosto: "È improbabile che il governo degli Stati Uniti consenta la vendita negli Stati Uniti di chip di memoria fabbricati in Cina, ma i prodotti venduti a data center in altre regioni come l'Europa potrebbero influenzare indirettamente Micron."
Apple ha iniziato a testare i chip DRAM di Changxin Memory per l'utilizzo nei dispositivi venduti in Cina e ha esercitato pressioni sul governo degli Stati Uniti per consentire un uso più ampio dei prodotti dell'azienda, ha riferito il Financial Times a luglio, citando persone a conoscenza della questione.
Commenti