Il nodo A14 di TSMC pone fine al restringimento della SRAM dopo otto anni di stagnazione, l'area dell'unità di memoria scende del 19% per la prima volta

📅 2026-10-27

Riassunto:

In qualità di produttore di semiconduttori più grande e avanzato al mondo, i progressi di TSMC nel restringimento delle SRAM sono stagnanti da molti anni. Dalla produzione in serie del processo N5 a 5 nm nel 2020, l'area delle celle di memoria SRAM 6T è rimasta a circa 0,021 micron quadrati. La densità dei transistor dei componenti logici continua ad aumentare, ma la memoria non ha tenuto il passo. Con l'arrivo del nodo A14, la cui messa in produzione è prevista per il 2028, questa situazione dovrebbe essere superata:

Si prevede che l'unità di memoria SRAM 6T di TSMC si ridurrà a 0,017 micron quadrati, con una diminuzione di circa il 19%. Ciò significa che TSMC ha fatto un passo avanti nelle tecnologie correlate e si sta preparando a spingerlo nella produzione di massa con l'aiuto del nodo A14.

TSMC sta attualmente conducendo una produzione di prova per valutare la fattibilità di questo nodo, consentendo al tempo stesso ai clienti di testare le prestazioni effettive dei loro progetti nell'ambiente di produzione di TSMC. L'andamento del nodo A14 è abbastanza ottimista. Grazie ai primi progressi regolari, il programma è stato anticipato. Se la produzione di prova continua senza intoppi e non si verificano grossi problemi di resa o di produzione, la produzione di prova a rischio inizierà nel 2027, seguita dalla produzione di massa nel 2028. Se non ci sono ostacoli evidenti l’anno prossimo, TSMC potrebbe addirittura anticipare il programma di produzione di massa di alcuni mesi.

Rispetto alla produzione di massa recentemente annunciata del nodo N2 da 2 nm, il processo A14 può fornire un miglioramento della velocità fino al 15% con lo stesso consumo energetico o ottenere una riduzione del consumo energetico fino al 30% con la stessa frequenza. TSMC afferma inoltre che la densità logica è aumentata del 20% e la densità SRAM è aumentata del 19%. Questo progresso è significativo: i circuiti logici e le memorie possono ora essere scalati in modo efficace su intervalli di generazione molto più ampi, in netto contrasto con l’era inferiore ai 10 nm. Il nodo A14 sarà introdotto per la prima volta presso la sede centrale di TSMC a Taiwan, dove l'azienda prevede di avviare la produzione di massa nel 2028.

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