Riassunto:
Durante il SEMICON Taiwan 2026 tenutosi a Taipei, Samsung ha annunciato la sua ultima roadmap sui prodotti di memoria, concentrandosi su HBM5 e sulla nuova architettura zHBM. Samsung ha affermato che l'HBM5 mira a raggiungere circa il doppio delle prestazioni complessive rispetto all'HBM4E, aumentando al contempo le prestazioni di consumo energetico dell'unità del 20% e riducendo la resistenza termica del 20%.
HBM5 utilizzerà il processo a 2 nm sviluppato internamente da Samsung per produrre lo stampo di base, sostituendo il processo a 4 nm utilizzato da HBM4 e HBM4E. Anche il numero di strati di impilamento del prodotto verrà ampliato a 12, 16 e 20 strati e si prevede che entrerà nella produzione di massa intorno al 2028.
Samsung ha inoltre recentemente confermato nei materiali di anteprima della conferenza Hot Chips 2026 che l'azienda si sta preparando a lanciare HBM4E, con una velocità target di 16 Gbps per pin. L'HBM4 attualmente spedito da Samsung ha una velocità di 11,7 Gbps per pin.
Rispetto al tradizionale design HBM che colloca la memoria accanto all'acceleratore, zHBM adotta un metodo di integrazione verticale più radicale, impilando la memoria direttamente sopra il processore, accorciando così il percorso di trasmissione dei dati e migliorando la larghezza di banda e l'efficienza energetica. Samsung prevede che le prestazioni grezze di zHBM raggiungeranno 8 volte quelle di HBM4E e che il consumo energetico dell'unità raggiungerà 3 volte, riducendo al contempo la resistenza termica dal 75% al 90%.
Samsung ha presentato i primi prodotti concept zHBM del settore all'FMS 2026 e il lancio di questa nuova architettura è previsto dopo il 2029. La riprogettazione dell'architettura HBM sembra essere diventata la direzione di sviluppo del settore. NVIDIA ha recentemente annunciato anche una soluzione di memoria NVHBM personalizzata, che trasferisce il controller di memoria dal die di calcolo al die base HBM.
Nel campo NAND, Samsung sta sviluppando zNAND-O per la distribuzione dei campioni nel 2028. Il prodotto mira a raggiungere 10 volte la densità di bit equivalente alla DRAM fornendo allo stesso tempo circa 7 volte la larghezza di banda di lettura mantenendo l'efficienza energetica della NAND tradizionale.
Anche la concorrenza di Samsung si sta intensificando. Oltre a SK Hynix, anche il produttore cinese di storage Yangtze Memory ha recentemente proposto obiettivi ambiziosi, prevedendo di superare Samsung e SK Hynix entro la fine del 2027.
Al Memory Executive Summit tenutosi prima dell'evento, Samsung ha anche introdotto un framework di sviluppo della memoria chiamato "C.U.B.E", che sta per capacità, utilizzo, larghezza di banda ed efficienza. La strategia prevede l'aumento della capacità senza aumentare l'ingombro del PCB espandendo verticalmente la capacità di memoria; utilizzo di un'architettura 3D ottimizzata per ridurre la latenza; utilizzo di canali verticali ad alta velocità per sostituire i tradizionali percorsi dati orizzontali; e migliorare il controllo del consumo energetico e la gestione della dissipazione del calore dal livello di bit.
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