Abstract:
Micron prevede di raddoppiare la propria capacità di produzione di memorie a larghezza di banda elevata (HBM) rispetto allo scorso anno. L'azienda promuoverà investimenti radicali in attrezzature prima della fine dell'anno per rafforzare la capacità di fornitura dei prodotti a 12 strati HBM - HBM4 di nuova generazione. Questa mossa è intesa a compensare le carenze della HBM nella capacità produttiva rispetto a Samsung Electronics e SK Hynix e ad aumentare la quota di mercato.

Secondo le notizie del settore del 3, Micron prevede di aumentare la capacità di produzione della HBM (basata su wafer) fino a 60.000 pezzi al mese entro la fine di quest'anno. Lo scorso anno la produzione HBM mensile di Micron è rimasta pari a 4-50.000 pezzi e l'aumento netto di quest'anno supererà la capacità produttiva originale dell'anno scorso.
Un esperto del settore che ha familiarità con l'attività in questione ha affermato: "Micron sta effettuando investimenti su larga scala in attrezzature per aumentare rapidamente la capacità di produzione della HBM4. Entro la fine di quest'anno, raggiungerà una capacità di produzione della HBM di circa 100.000 pezzi al mese."
Per raggiungere gli obiettivi di capacità produttiva sopra menzionati, Micron sta aumentando gli ordini di acquisto (PO) a un certo numero di produttori di apparecchiature di produzione della HBM. Resta inteso che le attrezzature della base di produzione HBM della Micron continuano ad entrare nel mercato.
Si prevede che la proporzione della produzione di HBM4 a 12 strati aumenterà in modo significativo. Al momento, la maggior parte della produzione HBM di Micron è HBM3E a 12 strati. All'inizio di quest'anno, l'HBM4 a 12 strati rappresentava solo il 20%-30% della produzione complessiva. È stato riferito che questa percentuale aumenterà fino al 50% entro la fine dell'anno.
Il layer HBM412 verrà installato su Vera Rubin di Nvidia, la principale azienda mondiale di chip AI. Micron ha avviato la produzione in serie di HBM4 a 12 strati nel secondo trimestre di quest'anno.
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