Riassunto:
Si dice che la nuova generazione di memoria HBM4E a 12 strati a larghezza di banda elevata di Samsung Electronics abbia superato la verifica della qualità del cliente da parte di NVIDIA e di diversi grandi fornitori di servizi cloud. "Korea Economy" della Corea del Sud ha riferito che il dipartimento di memoria di Samsung ha completato i test pertinenti alla fine di settembre; tuttavia, il superamento del test non significa che un contratto di fornitura sia stato firmato e che la quantità dell'ordine del cliente, l'importo del contratto e il tempo di fornitura per la produzione di massa non siano ancora stati confermati. Samsung ha affermato di non poter confermare la notizia della verifica.
TechPowerUp ha quindi collegato il rapporto all'acceleratore Rubin Ultra di prossima generazione di NVIDIA, ma il rapporto originale coreano menzionava solo NVIDIA e i principali clienti di data center iperscalabili e non affermava esplicitamente che il test era mirato a Rubin Ultra. I dati della GPU Rubin attualmente divulgati da NVIDIA confermano che utilizza HBM4, con una configurazione massima di 288 GB e una larghezza di banda fino a 22 TB/s; i dettagli dell'ordine o della certificazione di Rubin Ultra che utilizza Samsung HBM4E non sono ancora stati annunciati, quindi la corrispondenza tra i due è ancora un'ipotesi.
Il campione HBM4E annunciato da Samsung a maggio è uno stack a 12 strati con un singolo stack da 48 GB. La velocità pin standard è di 14 Gbps e può essere estesa a 16 Gbps. Secondo i dati rilasciati da Samsung, la larghezza di banda a stack singolo può raggiungere fino a 3,6 TB/s e la larghezza di banda teorica è di circa 4 TB/s con il limite superiore di 16 Gbps. L'azienda prevede inoltre di espandere la versione a 8 strati da 32 GB e la versione a 16 strati da 64 GB in base alla domanda dei clienti, ma queste specifiche non significano che i prodotti corrispondenti siano stati prodotti in serie.
Samsung ha affermato che HBM4E utilizza il processo DRAM di sesta generazione da 10 nanometri (1c) e il proprio chip di base logica da 4 nanometri; rispetto alla generazione precedente, il design a basso consumo e l'ottimizzazione del packaging migliorano l'efficienza energetica del 16% e riducono la resistenza termica di oltre il 14%. L'azienda ha inviato campioni di 12 strati ai principali clienti nel maggio di quest'anno e ha dichiarato che la produzione di massa si coordinerà con i programmi dei clienti; questo è diverso dall'avanzamento della verifica del cliente. In questa fase non è ancora possibile concludere che Samsung abbia ottenuto un ordine di fornitura per la produzione di massa da Nvidia.
Commenti