Riassunto:
Changxin Technology ha dichiarato durante l'incontro di scambio delle prestazioni del terzo trimestre che, sulla base della svolta fondamentale dell'architettura DRAM a canale verticale 4F², la piattaforma tecnologica di processo di sesta generazione ha completato la verifica dei campioni tecnici. Questa è la prima volta che Changxin annuncia che la piattaforma tecnologica di processo di sesta generazione si basa sull'architettura 4F².
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Secondo la pratica del settore, il completamento della verifica del campione tecnico significa che gli indicatori di prestazione principali della piattaforma hanno raggiunto le aspettative di progettazione su wafer reali e può entrare nella fase di produzione di massa dopo che il cliente ha completato la verifica. Changxin aveva precedentemente dichiarato in un discorso pubblico che si prevede di lanciare una nuova generazione di prodotti DDR5 RDIMM che integreranno la tecnologia avanzata 4F² entro la fine dell'anno per il campo dei server, uno dei campi più difficili da applicare.
In termini di progressi resi pubblici, Changxin è in prima linea a livello mondiale nella promozione dell'ingegneria 4F²: Samsung e SK Hynix hanno entrambi elencato 4F² come direzione chiave al di sotto del livello di 10 nm e Changxin ha preso l'iniziativa nel completare la verifica dei campioni ingegneristici; se i successivi progressi andranno bene, si prevede che Changxin diventerà la prima azienda al mondo a implementare 4F².
4F² è considerato un percorso chiave per superare il collo di bottiglia dovuto al restringimento delle celle DRAM e passare alla DRAM 3D. L'evoluzione della tecnologia DRAM è sempre stata incentrata sul miglioramento della densità, integrando più unità sullo stesso wafer di dimensioni per distribuire il costo per bit. Ma dopo essere entrati nel livello dei 10 nm, i 6F² originali sono diventati insostenibili e si stanno avvicinando al limite fisico. L'IEEE International Devices and Systems Roadmap (IRDS) afferma chiaramente che quando il ridimensionamento di metà passo diventa sempre più difficile, "la transizione dalle unità 6F² a 4F² è il percorso più promettente per mantenere le tendenze dei costi".
L'area dell'unità 4F² è 2F×2F (F è la larghezza minima della linea o spaziatura ottenibile con la tecnologia fotolitografica), ovvero circa due terzi dell'unità tradizionale 6F². È diventata una scelta comune dei principali produttori di storage in tutto il mondo. SK Hynix ha elencato la piattaforma 4F² Vertical Gate (VG) e la DRAM 3D come due principali pilastri tecnici. Samsung ha pubblicato un documento su 10 nm 4F² all'ISSCC 2026 e il suo CTO ha confermato pubblicamente nell'ottobre di quest'anno che è anche in fase di sviluppo; l'industria considera anche 4F² come una fase necessaria per la DRAM 3D.
Il nucleo dell'architettura 4F² di Changxin è il transistor VSG (Vertical Surrounding Gate) sviluppato internamente. La sua struttura a canale verticale circostante ha un controllo del cancello più forte, che può alleviare gli effetti del canale corto e le perdite. A livello architetturale, questa soluzione disaccoppia i processi di produzione di DRAM e CMOS e quindi realizza un'interconnessione ad alta velocità attraverso il bonding ibrido a livello di wafer, in modo che le prestazioni logiche, la densità di storage e l'affidabilità possano essere ottimizzate separatamente.
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