Riassunto:
Secondo numerosi istituti di ricerca del settore e fonti della catena di fornitura, Changxin Memory (CXMT), la principale azienda cinese produttrice di DRAM locale, si sta attualmente preparando attivamente a entrare nel campo della produzione di memorie flash NAND (NAND Flash). Questa potenziale espansione strategica indica che Changxin Memory sta cercando di trasformarsi da unico fornitore di chip DRAM a gigante di chip di memoria dell'intera categoria. Non solo arricchirà ulteriormente la sua linea di prodotti, ma si prevede anche che rimodellerà il panorama competitivo del mercato globale dei semiconduttori di storage.
Da molto tempo, Changxin Memory si concentra sulla ricerca, sullo sviluppo e sulla produzione di massa di chip DRAM ad alta densità e relativi moduli di memoria e ha ottenuto importanti progressi tecnologici e aumenti delle quote di mercato nei mercati delle memorie mobili e per server. Con la crescita esplosiva dell'intelligenza artificiale globale, dei big data e della domanda di cloud computing per diverse architetture di archiviazione, Changxin Memory Evaluation ha ampliato la propria esperienza nella produzione di semiconduttori e nell'ottimizzazione dei processi al campo della memoria flash NAND, con l'obiettivo di creare un sistema di catena di fornitura completo e indipendente che copra l'archiviazione temporanea e l'archiviazione a lungo termine.
Attualmente, il mercato globale delle memorie flash NAND è principalmente monopolizzato da diversi giganti internazionali come Samsung Electronics, SK Hynix, Micron Technology, Kioxia e Western Digital. Tuttavia, la capacità produttiva delle aziende locali cinesi nel campo NAND è ancora concentrata principalmente nella Yangtze Memory Technology (YMTC). Gli analisti del settore hanno sottolineato che se Changxin Memory mettesse ufficialmente in produzione la memoria flash NAND, ciò creerebbe effetti complementari e sinergici con Yangtze Memory nella linea di prodotti e accelererebbe l'integrazione approfondita dell'industria locale dei chip di memoria in termini di indipendenza tecnologica e scala della capacità produttiva.
Sebbene estendere la propria portata commerciale nel campo delle memorie flash NAND richieda l'affronto di molteplici sfide, come spese in conto capitale estremamente elevate per nuove linee di produzione, sfide tecniche nei processi di impilamento di alto livello e barriere brevettuali, l'esperienza ingegneristica accumulata da Changxin Memory nella ricerca e sviluppo di processi avanzati e nella gestione delle operazioni di fabbricazione ha gettato solide basi per la sua espansione orizzontale. La catena di fornitura ha rivelato che Changxin Storage sta conducendo una valutazione di fattibilità ingegneristica delle sue fabbriche esistenti e della nuova capacità produttiva, e anche il reclutamento di team di ricerca e sviluppo pertinenti e la ricerca preliminare sull'approvvigionamento di attrezzature stanno procedendo in modo ordinato.
Con l'ulteriore sviluppo dell'economia della potenza di calcolo, la domanda del mercato di unità a stato solido (SSD) ad alte prestazioni e di nuove memorie non volatili continuerà ad essere forte. La mossa strategica di Changxin Memory di entrare nel mercato delle memorie flash NAND oltre confine non solo aiuterà a migliorare la propria scala complessiva dei ricavi e la resistenza ai rischi, ma fornirà anche agli acquirenti globali di chip di memoria scelte più competitive e diversificate.
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