Riassunto:
Alla World Manufacturing Conference del 2026 a Hefei, Changxin Technology ha annunciato ufficialmente la produzione di massa della piattaforma tecnologica DRAM di quinta generazione (piattaforma G5), ha esposto contemporaneamente prodotti LPDDR5X di grande capacità basati sulla piattaforma e ha dimostrato pubblicamente per la prima volta la memoria LPDDR6 prodotta in serie.
La principale innovazione della piattaforma G5 risiede nella riduzione dei processi. Questa piattaforma si basa sulla tecnologia Quadruple Patterning per ridurre la metà dell'area attiva dell'array di memoria a 11,95 nanometri, che è vicino al processo di produzione di massa della piattaforma di memoria più importante al mondo.
Come riferimento, l'attuale nodo DRAM più avanzato di Samsung è di 12 nm e gli 11,95 nm di Changxin G5 sono paragonabili al livello di produzione di massa di Samsung. La chiave è che questa svolta è stata ottenuta utilizzando DUV ad immersione ArF senza fare affidamento sulle macchine litografiche EUV.
Oltre alla riduzione della larghezza della linea, la piattaforma G5 ha anche migliorato il rapporto d'aspetto del condensatore di stoccaggio portandolo a 45:1 modificando il flusso del processo e utilizzando nuovi materiali, e ha sviluppato un processo HKMG (gate metallica ad alta costante dielettrica) adattato al processo DRAM, riducendo l'altezza dell'area funzionale principale a 6762 nanometri.
La densità di archiviazione è stata quindi migliorata a passi da gigante. Il numero di stampi prodotti per wafer è superiore di almeno il 50% rispetto a quello della piattaforma di generazione precedente, con vantaggi significativi in termini di efficienza energetica del prodotto e controllo dei costi. Luo Xiaodong, vicepresidente di Changxin Technology, ha affermato:
Il livello di processo della piattaforma G5 è paragonabile a quello dei principali nodi di produzione di massa del settore.
I due prodotti di serie LPDDR5X esposti hanno contemporaneamente un'unica capacità di 24Gb, che è superiore del 50% rispetto alla generazione precedente di prodotti simili. Sono confezionati rispettivamente in 496Ball e 245Ball. Sono adatti per smartphone di fascia medio-alta ed elettronica di consumo portatile. Ora sono entrati nella fase della produzione di massa su larga scala.
Un altro argomento centrale della conferenza è stato l'LPDDR6 prodotto in serie. Changxin LPDDR6 ha annunciato ufficialmente la produzione di massa il 29 agosto, con una velocità di trasmissione massima di 12800 Mbps, un aumento del 60% della larghezza di banda rispetto a LPDDR5X, una riduzione del consumo energetico del 20% e una capacità massima del chip di 16 GB.
Il primo modello dotato di LPDDR6 è il cellulare pieghevole di punta Xiaomi 18 Fold. Questa è la prima volta che i prodotti LPDDR6 vengono commercializzati su un telefono cellulare di punta nel mondo. Si tratta inoltre della prima volta che un'azienda cinese di storage realizza la prima produzione di massa al mondo di standard di memoria di fascia alta.
Inoltre,
è stato messo in vendita anche Nubian NaviX Ultra, un "telefono a sacco" dotato della velocità più alta di Changxin, 10667Mbps LPDDR5X. Questa è la prima applicazione di produzione di massa di un chip LPDDR5X domestico ad alta velocità da 10667 Mbps.
Va sottolineato che Changxin ha ammesso nell'annuncio che la piattaforma G5, essendo una piattaforma nuova di zecca, necessita ancora di un certo periodo di tempo per aumentare il rendimento. I prodotti basati su questa piattaforma non hanno ancora formato vendite su larga scala e non avranno un impatto significativo sulla performance operativa a breve termine.
Ma il significato strategico della produzione di massa del G5 è abbastanza chiaro: la DRAM nazionale si sta trasformando da "inseguitrice" a "concorrente" in termini di tecnologia di produzione di massa più avanzata.
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