Riassunto:
在Hot Chips大会上，英特尔公布了18A-P制程工艺的更多细节。这一工艺引入了环绕式栅极（GAA）晶体管、背面供电（GAA-BSPD）、Power Boost技术，并增加了金属层数，在低电压条件下可为x86"量产"硅片带来高达30%的运行频率提升。
Futurum Research Group与英特尔合作披露了18A-P工艺的具体优势，研究显示该工艺并非18A的简单迭代，而是"刻意"设计用于在低电压下提升能效、在高电压下提升性能。与18A相比，英特尔18A-P在同等功耗下性能提升超过9%，或在同等性能下功耗降低超过18%；该工艺还引入了先进应变工程以增强载流子迁移率，并扩展了RibbonFET产品线，新增了面向AI、移动及数据中心应用的Power Boost技术。
报告中写道："这些创新技术有望为多代产品的单核性能领先奠定基础。FinFET技术的成熟历经了四代器件与设计协同优化的积累。而带有背面供电的GAA技术目前正处于这一发展曲线的第一步——在量产硅片上已实测到低电压下30%的提升，高电压下也达到两位数增幅。Diamond Rapids与Nova Lake将率先享受到18A-P带来的红利，而钌互连与堆叠逻辑等技术仍在后续规划之中。"
La tecnologia dei transistor GAA è progettata per trarre il massimo vantaggio nell'intervallo di bassa tensione. All'estremità dell'alta tensione, le tecnologie di alimentazione sul retro come PowerVia di Intel hanno dimostrato il loro potenziale guidando l'alimentazione dal lato posteriore del wafer anziché dallo strato di cablaggio anteriore. Lo studio ha sottolineato che la cifra del 30% deriva da risultati di misurazione diretta, ovvero dal confronto tra il core della CPU prodotto sulla base del processo di alimentazione GAA back-side e il core FinFET dello stesso livello sull'intero intervallo di tensione operativa: con una tensione di 0,5 V, la frequenza operativa del core è aumentata del 30%. Questo confronto viene condotto allo stesso livello di tensione e core, in modo che l'impatto dei cambiamenti architetturali possa essere eliminato e il contributo della tecnologia di processo stessa possa essere misurato separatamente.
RibbonFET的栅极从四面包裹晶体管通道，使英特尔能够更精确地控制更低的阈值电压。此外，将供电布线移至晶圆背面可减少IR压降，从而降低电压损耗。英特尔研究员Eric Fetzer表示："背面供电这一概念本质上是对高电压供电的一种改进。它在低电压下也有帮助，但在高电压时会出现较大的压降事件，此时背面供电在降低供电损耗方面效果非常显著……将背面供电与环绕式栅极结合并非偶然，这是把两项互补的技术结合在一起，因此我们同时具备了高电压和低电压两方面的优势故事。"
Sul processo da 18 A, Intel ha dimostrato l'effetto dell'alimentatore sul lato posteriore che converte il guadagno del dispositivo in un miglioramento della frequenza core, ottenendo un aumento della frequenza del 5% a 1,1 V e un aumento della frequenza del 7,5% a 0,95 V. Inoltre, il processo 18A-P ha ampliato la linea di prodotti RibbonFET, aggiungendo opzioni di dispositivi ottimizzati per diversi obiettivi di progettazione, come W1 e W1.5 per dispositivi a bassa potenza e bassa capacità e W3P per applicazioni ad alte prestazioni dotate di tecnologia Power Boost, che può ottenere un aumento del 10% della velocità operativa senza aumentare il carico elettrico. Rispetto a 18A, 18A-P riduce anche la resistenza esterna dei dispositivi NMOS del 20% e dei dispositivi PMOS del 12%, ottenendo allo stesso tempo una corrente e una frequenza più elevate in condizioni di capacità corrispondenti.
Sulla base dell'innovazione nella gestione termica introdotta in 18A, 18A-P migliora ulteriormente le capacità di dissipazione del calore attraverso miglioramenti dei materiali e soluzioni avanzate di dissipazione del calore basate su EDA. 18A-P aumenta la conduttività termica dello stack incollato del 50%, migliorando la resistenza termica dell'intero stack dal 20% al 40%.
Inoltre, Intel sta valutando materiali avanzati e tecnologie di packaging per estendere la propria roadmap tecnologica. Il processo sottrattivo di interconnessione al rutenio e la struttura del traferro dimostrati nella ricerca VLSI di Intel possono ridurre la capacità di circa il 35% rispetto all'interconnessione in rame e questo vantaggio sarà ulteriormente amplificato a passi fini: le interconnessioni in rame devono essere coperte con strati barriera resistivi su tutti i lati che non possono essere ulteriormente ridotti e la resistenza del rame mostrerà una crescita non lineare a dimensioni piccole dominata dai bordi dei grani. Tuttavia, le interconnessioni in rutenio mantengono comunque le caratteristiche lineari alla stessa spaziatura, quindi possono trarre vantaggio in scenari in cui la resistenza del filo limita la frequenza. Guardando più avanti al futuro, Intel sta studiando la tecnologia della logica impilata nella direzione dell'asse z, che impila un dispositivo logico sopra un altro in modo che i segnali debbano essere trasmessi solo verticalmente su brevi distanze anziché instradamento planare a lunga distanza. Questo lavoro è direttamente correlato alle prestazioni di espansione ad alta tensione.
Diamond Rapids将是采用18A-P工艺的首批主力产品之一。据英特尔透露，相关研发工作实际上从上一代Xeon 6+"Clearwater Forest"就已开始，这使得团队能够将E核在性能功耗比方面的优势延续至Diamond Rapids的P核上。Diamond Rapids最高可配置256核心，是上一代核心数量的两倍，因此需要更强的内存带宽支撑。英特尔将IO模块移至封装中心位置，使每个核心都能获得均匀的内存访问延迟，这对AI规模级别的工作负载至关重要，而18A-P带来的频率提升空间也将直接转化为更高的单核性能。
英特尔研究员Eric Fetzer总结道："这正是你将在Diamond Rapids上看到的效果。一切都从核心底层技术开始。我们借助18A-P的优势同时提升核心数量与核心性能，再通过架构升级为其提供足够的数据供给。"
总体而言，带有背面供电的GAA技术被视为英特尔迈向多代单核性能领先路线图的第一步。这一进程始于18A-P工艺，其在低电压下实现30%的提升，在高电压下实现两位数增幅，且已在量产硅片上得到验证，相关产品包括Diamond Rapids Xeon系列以及计划于明年推出的Nova Lake"Core"系列。
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