Riassunto:
GlobalFoundries (GF) ha annunciato il percorso del processo FDX Fusion con silicio su isolante completamente impoverito (FD-SOI), con l'obiettivo di fornire chip a basso consumo e altamente integrati per apparecchiature di "intelligenza artificiale fisica" come robot, automobili e automazione industriale. L'azienda ha affermato che la prima generazione di FDX Fusion dovrebbe raggiungere "prestazioni digitali di livello 7 nm" e prevede di iniziare la produzione nello stabilimento di Dresda, in Germania, nel 2028.
Questa affermazione si riferisce al livello di prestazioni della logica digitale e non significa che GF abbia ripreso il processo FinFET a 7 nm che era stato sospeso nel 2018, né può essere direttamente equivalente al nodo del processo a 7 nm o alla densità dei transistor di altri stabilimenti.
FDX Fusion continua il percorso FD-SOI di GF. Questa tecnologia posiziona uno strato isolante sotto lo strato di silicio e supporta la regolazione del back-bias, che può essere regolata tra consumo energetico e prestazioni in base al carico di lavoro; GF ha affermato che aiuta a ridurre le perdite, a ottimizzare l'efficienza energetica ed è adatto per integrare circuiti a radiofrequenza, analogici e digitali. Si prevede inoltre che la nuova piattaforma incorpori memoria non volatile incorporata, elaborazione in-memory e logica ad alta densità. Gli indicatori annunciati da GF includono che il ft/fmax del dispositivo a radiofrequenza può raggiungere fino a 0,5 terahertz e che la densità del processo FDX di prima generazione è aumentata di più del doppio; l'azienda non ha ancora rilasciato dati di progettazione dettagliati sufficienti per una verifica indipendente esterna. In questo caso 0,5 terahertz sono un indicatore del dispositivo a radiofrequenza, non della frequenza operativa del processore del chip.
GF colloca questo processo nell'intelligenza artificiale fisica, ovvero nelle applicazioni in cui i dispositivi rilevano l'ambiente localmente, elaborano i dati e rispondono in modo tempestivo, inclusi il ragionamento perimetrale, la fusione dei sensori, la robotica, le apparecchiature di automazione, l'elettronica automobilistica, i sistemi autonomi e i dispositivi connessi intelligenti. Il focus della sua progettazione non è semplicemente quello di perseguire i transistor più piccoli, ma di provare a integrare rilevamento, elaborazione, comunicazioni wireless, controllo e archiviazione nella stessa piattaforma per ridurre la complessità del sistema, la latenza e il consumo energetico. GF ha affermato di aver effettuato le prime valutazioni con alcuni clienti, ma di non aver ancora annunciato prodotti chip specifici o ordini da parte dei clienti per la produzione di massa.
Secondo la tabella di marcia dell'azienda, il chip dimostrativo FDX Fusion dovrebbe essere consegnato ai clienti per la valutazione all'inizio del 2027, la prima versione del kit di progettazione del processo dovrebbe essere disponibile a metà del 2027 e l'obiettivo di produzione di massa è il 2028. GF ha inoltre spiegato che lo sviluppo del progetto FDX Fusion di Dresda dipende ancora dall'approvazione o meno del governo federale tedesco del prossimo progetto IPCEI sulla tecnologia avanzata dei semiconduttori, quindi la tabella di marcia ha ancora l'approvazione politica condizioni.
Questo percorso non è lo stesso del progetto che GF ha sospeso nel 2018. All'epoca, la società aveva accantonato la ricerca e lo sviluppo del FinFET da 7 nanometri con la motivazione che avrebbe concentrato le risorse su processi e mercati più distintivi; il nuovo FDX Fusion annunciato è basato su FD-SOI e si concentra su basso consumo energetico, radiofrequenza e integrazione di segnali misti. GF sta inoltre portando avanti un piano di espansione SPRINT da 1,1 miliardi di euro a Dresda, con l'obiettivo di aumentare la capacità produttiva annuale dell'impianto a oltre 1 milione di wafer da 300 mm entro la fine del 2028; questa espansione di capacità copre l'intera attività dello stabilimento e non tutta viene utilizzata per FDX Fusion.
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