Riassunto:
MemSilicon ha annunciato il completamento del tape-out del chip RRAM di prima generazione ad alta densità e grande capacità "MountTai 2026" basato sul percorso tecnologico 1TnR.
È stato riferito che "Taishan No. 1" rappresenta una pietra miliare nel progresso di MemSilicon della nuova tecnologia di chip di memoria 1TnR ad alta densità e grande capacità, dalle prime ricerche alla commercializzazione di chip di livello Gb. Questo percorso tecnico aumenta la capacità di archiviazione per unità di area condividendo transistor selezionati con più celle di memoria a commutazione resistiva e utilizza un metodo di integrazione back-end completamente compatibile con la piattaforma CMOS per ottenere densità, capacità e costi.
Il chip utilizza una piattaforma di processo CMOS da 28 nm e una struttura di unità 1T4R, con una capacità di singolo chip di 1 Gb, una densità di 30 Mb/mm², un ritardo di accesso inferiore a 20 ns e un circuito di correzione degli errori hardware integrato su chip. Raggiunge una svolta collaborativa tra grande capacità, alta densità e lettura ad alta velocità e fornisce una soluzione competitiva a livello internazionale per nuove applicazioni di archiviazione non volatile su chip ad alta densità e grande capacità.
Al momento, "Taishan n. 1" ha completato la registrazione e sta avanzando la verifica.
"Taishan No. 1" adotta una struttura 1T4R, ovvero un transistor di selezione corrisponde a quattro celle di memoria a commutazione resistiva. Ma la condivisione dei transistor non significa che la densità e le prestazioni del numero di celle di memoria aumentino proporzionalmente. I percorsi di corrente non target tra più celle di memoria, le interferenze di lettura e scrittura e l'affidabilità in diverse condizioni operative richiedono l'ottimizzazione congiunta di dispositivi, processi e progettazione dei circuiti.
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